In-plane tunneling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diodes in the regime of the ecxess current

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-320250
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.32025

Shiogai, Junichi

; Ciorga, Mariusz ; Utz, Martin ; Schuh, Dieter ; Kohda, Makoto ; Bougeard, Dominique ; Nojima, Tsutomu ; Weiss, Dieter

; Nitta, Junsaku

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 06 Jul 2015 12:56

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We investigate the angular dependence of the tunneling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diodes in the regime where the tunneling process is dominated by the excess current through midgap states in (Ga, Mn) As. We compare it to similar measurements performed in the regime of band-to-band tunneling. Whereas the latter show biaxial symmetry typical for magnetic anisotropy ...

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