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Epitaxial Growth of Room-Temperature Ferromagnetic MnAs Segments on GaAs Nanowires via Sequential Crystallization

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-333674

Hubmann, Joachim, Bauer, Benedikt, Körner, H. S., Furthmeier, Stephan, Buchner, Martin, Bayreuther, Günther, Dirnberger, D., Schuh, Dieter, Back, Christian, Zweck, Josef, Reiger, Elisabeth und Bougeard, Dominique (2016) Epitaxial Growth of Room-Temperature Ferromagnetic MnAs Segments on GaAs Nanowires via Sequential Crystallization. Nano Letters 16, S. 900-905.

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Andere URL zum Volltext: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.nanolett.5b03658


Zusammenfassung

We investigate the incorporation of manganese into self-catalyzed GaAs nanowires grown in molecular beam epitaxy. Our study reveals that Mn accumulates in the liquid Ga droplet and that no significant incorporation into the nanowire is observed. Using a sequential crystallization of the droplet, we then demonstrate a deterministic and epitaxial growth of MnAs segments at the nanowire tip. This ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:12 Januar 2016
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Günther Bayreuther
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1021/acs.nanolett.5b03658DOI
Stichwörter / Keywords:MnAs segment; GaAs nanowire; deterministic epitaxial growth; room-temperature ferromagnet; sequential crystallization; single-domain
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:23 Feb 2016 14:50
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:40
Dokumenten-ID:33367
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