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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-333815
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.33381
Zusammenfassung (Englisch)
The inverse spin Hall effect (ISHE) arises from spin dependent scattering. It signifies a conversion of a longitudinal spin current into a transversal charge current. This enables spin current sensors using conventional charge-based electronics leveraging advances in technology, e.g., towards the development of magnetization based universal memory concepts, and a fundamental understanding of ...
Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)
Der inverse Spin-Hall-Effekt hat seine Ursache in Spin-abhängiger Streuung. Er bezeichnet den Effekt, dass ein longitudinaler Spin-Strom in einen transversalen Ladungs-Strom umgewandelt wird. Diese Tatsache ermöglicht die Herstellung von Spin-Strom-Sensoren welche auf konventioneller, Ladungs-basierter Elektronik beruhen. Diese können wirksam eingesetzt werden um sowohl technologische ...