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Inverse spin Hall effect in metallic heterostructures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-333815
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.33381
Obstbaum, Martin
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2016 06:20


Zusammenfassung (Englisch)

The inverse spin Hall effect (ISHE) arises from spin dependent scattering. It signifies a conversion of a longitudinal spin current into a transversal charge current. This enables spin current sensors using conventional charge-based electronics leveraging advances in technology, e.g., towards the development of magnetization based universal memory concepts, and a fundamental understanding of ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Der inverse Spin-Hall-Effekt hat seine Ursache in Spin-abhängiger Streuung. Er bezeichnet den Effekt, dass ein longitudinaler Spin-Strom in einen transversalen Ladungs-Strom umgewandelt wird. Diese Tatsache ermöglicht die Herstellung von Spin-Strom-Sensoren welche auf konventioneller, Ladungs-basierter Elektronik beruhen. Diese können wirksam eingesetzt werden um sowohl technologische ...

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