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Strain Measurement in Semiconductor Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-345803

Müller, K., Rosenauer, A., Schowalter, M., Zweck, Josef, Fritz, R. und Volz, K. (2012) Strain Measurement in Semiconductor Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy. Microscopy and Microanalysis 18, S. 995-1009.

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Zusammenfassung

This article deals with the measurement of strain in semiconductor heterostructures from convergent beam electron diffraction patterns. In particular, three different algorithms in the field of (circular) pattern recognition are presented that are able to detect diffracted disc positions accurately, from which the strain in growth direction is calculated. Although the three approaches are very ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1017/S1431927612001274DOI
Stichwörter / Keywords:strain measurement, electron diffraction, TEM, CBED, STEM, semiconductors
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:30 Sep 2016 08:48
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:41
Dokumenten-ID:34580
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