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Strain Measurement in Semiconductor Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-345803
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.34580
Müller, K. ; Rosenauer, A. ; Schowalter, M. ; Zweck, Josef ; Fritz, R. ; Volz, K.
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PDF - Veröffentlichte Version
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Sep 2016 08:48



Zusammenfassung

This article deals with the measurement of strain in semiconductor heterostructures from convergent beam electron diffraction patterns. In particular, three different algorithms in the field of (circular) pattern recognition are presented that are able to detect diffracted disc positions accurately, from which the strain in growth direction is calculated. Although the three approaches are very ...

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