Dynamic nuclear spin polarization in an all-semiconductor spin injection device with (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diode

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-347588
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.34758

Shiogai, Junichi

; Ciorga, Mariusz ; Utz, Martin ; Schuh, Dieter ; Arakawa, T. ; Kohda, M. ; Kobayashi, K.

; Ono, T. ; Wegscheider, W. ; Weiss, Dieter

;

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 24 Okt 2016 14:10

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We investigate the dynamic nuclear spin polarization in an n-GaAs lateral channel induced by electrical spin injection from a (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diode. Signatures of nuclear spin polarization are studied in both three-terminal and non-local voltage signals, where a strong electron spin depolarization feature is observed close to zero magnetic field. This is due to the large nuclear field ...

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