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Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities

But, D. B., Drexler, C., Sakhno, M. V., Dyakonova, N., Drachenko, O., Sizov, F. F., Gutin, A., Ganichev, Sergey und Knap, W. (2014) Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities. Journal of Applied Physics 115 (16), S. 164514.

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Zusammenfassung

Terahertz power dependence of the photoresponse of field effect transistors, operating at frequencies from 0.1 to 3 THz for incident radiation power density up to 100 kW/cm2 was studied for Si metal–oxide–semiconductor field-effect transistors and InGaAs high electron mobility transistors. The photoresponse increased linearly with increasing radiation intensity up to the kW/cm2 range. ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:April 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:SPP 1459: Graphene, GRK 1570, Elektronische Eigenschaften von Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4872031DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:02 Dez 2016 07:26
Zuletzt geändert:02 Dez 2016 07:26
Dokumenten-ID:34924
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