Direkt zum Inhalt

Chen, Lin ; Decker, Martin ; Kronseder, Matthias ; Islinger, Robert ; Gmitra, Martin ; Schuh, Dieter ; Bougeard, Dominique ; Fabian, Jaroslav ; Weiss, Dieter ; Back, Christian

Robust spin-orbit torque and spin-galvanic effect at the Fe/GaAs (001) interface at room temperature

Chen, Lin , Decker, Martin, Kronseder, Matthias , Islinger, Robert, Gmitra, Martin , Schuh, Dieter, Bougeard, Dominique , Fabian, Jaroslav , Weiss, Dieter und Back, Christian (2016) Robust spin-orbit torque and spin-galvanic effect at the Fe/GaAs (001) interface at room temperature. Nature Communications 7, S. 13802.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 14 Dez 2016 09:02
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.34980


Zusammenfassung

Interfacial spin-orbit torques (SOTs) enable the manipulation of the magnetization through in-plane charge currents, which has drawn increasing attention for spintronic applications. The search for material systems providing efficient SOTs, has been focused on polycrystalline ferromagnetic metal/non-magnetic metal bilayers. In these systems, currents flowing in the non-magnetic layer generate-due ...

Interfacial spin-orbit torques (SOTs) enable the manipulation of the magnetization through in-plane charge currents, which has drawn increasing attention for spintronic applications. The search for material systems providing efficient SOTs, has been focused on polycrystalline ferromagnetic metal/non-magnetic metal bilayers. In these systems, currents flowing in the non-magnetic layer generate-due to strong spin-orbit interaction-spin currents via the spin Hall effect and induce a torque at the interface to the ferromagnet. Here we report the observation of robust SOT occuring at a single crystalline Fe/GaAs (001) interface at room temperature. We find that the magnitude of the interfacial SOT, caused by the reduced symmetry at the interface, is comparably strong as in ferromagnetic metal/non-magnetic metal systems. The large spin-orbit fields at the interface also enable spin-to-charge current conversion at the interface, known as spin-galvanic effect. The results suggest that single crystalline Fe/GaAs interfaces may enable efficient electrical magnetization manipulation.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftNature Communications
Verlag:Springer
Ort der Veröffentlichung:LONDON
Band:7
Seitenbereich:S. 13802
Datum13 Dezember 2016
InstitutionenPhysik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1038/ncomms13802DOI
Stichwörter / KeywordsFERROMAGNETIC-RESONANCE; HALL; CONVERSION; VOLTAGES; FIELD;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-349806
Dokumenten-ID34980

Bibliographische Daten exportieren

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

nach oben