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Superconductor-Insulator Transition and Charge-Phase Duality in TiN Nanowires

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-356917
DOI to cite this document:
10.5283/epub.35691
Schneider, Ina Alexandra
Date of publication of this fulltext: 02 Jan 2018 08:40


Abstract (English)

In this work we investigate TiN nanostructures with widths between 75nm and 800nm close to the superconductor-insulator transition. The samples are fabricated from a polycrystalline TiN film with a thickness of 3.6nm by applying the technique of crosslinking PMMA by means of the exposure to very high electron beam doses. In zero magnetic field the superconducting transition of wider samples ...

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Translation of the abstract (German)

Grundlage dieser Arbeit bilden TiN-Nanostrukturen mit Breiten zwischen 75nm und 800nm nahe am Supraleiter-Isolator Übergang. Zur Herstellung der Strukturen nutzen wir das Verfahren des Verbackens von PMMA Lack durch die Belichtung mit sehr hohen Elektronenstrahldosen. Das Ausgangsmaterial bilden polykristalline TiN-Filme mit einer Dicke von 3,6nm. Ohne externes Magnetfeld zeigen die breiten ...

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