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Ion-Beam-Induced Atomic Mixing in Ge, Si, and GeSi, Studied by Means of Isotope Multilayer Structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-362579

Radek, Manuel, Liedke, Bartosz, Schmidt, Bernd, Voelskow, Matthias, Bischoff, Lothar, Hansen, John Lundsgaard, Larsen, Arne Nylandsted, Bougeard, Dominique, Böttger, Roman, Prucnal, Slawomir, Posselt, Matthias und Bracht, Hartmut (2017) Ion-Beam-Induced Atomic Mixing in Ge, Si, and GeSi, Studied by Means of Isotope Multilayer Structures. Materials (MDPI) 10, S. 813.

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Zusammenfassung

Crystalline and preamorphized isotope multilayers are utilized to investigate the dependence of ion beam mixing in silicon (Si), germanium (Ge), and silicon germanium (SiGe) on the atomic structure of the sample, temperature, ion flux, and electrical doping by the implanted ions. The magnitude of mixing is determined by secondary ion mass spectrometry. Rutherford backscattering spectrometry in ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:17 Juli 2017
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.3390/ma10070813DOI
28773172PubMed-ID
Stichwörter / Keywords:silicon, germanium, ion beam, atomic mixing, thermal spike, radiation enhanced diffusion, amorphization, recrystallization, molecular dynamics
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:02 Nov 2017 14:56
Zuletzt geändert:02 Nov 2017 14:56
Dokumenten-ID:36257
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