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Dielectric Engineering of Electronic Correlations in a van der Waals Heterostructure

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-367191

Steinleitner, Philipp , Merkl, Philipp, Graf, Alexander, Nagler, Philipp, Watanabe, Kenji , Taniguchi, Takashi, Zipfel, Jonas, Schüller, Christian, Korn, Tobias, Chernikov, Alexey, Brem, Samuel , Selig, Malte , Berghäuser, Gunnar, Malic, Ermin und Huber, Rupert (2018) Dielectric Engineering of Electronic Correlations in a van der Waals Heterostructure. Nano Letters.

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Zusammenfassung

Heterostructures of van der Waals bonded layered materials offer unique means to tailor dielectric screening with atomic-layer precision, opening a fertile field of fundamental research. The optical analyses used so far have relied on interband spectroscopy. Here we demonstrate how a capping layer of hexagonal boron nitride (hBN) renormalizes the internal structure of excitons in a WSe2 ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:24 Januar 2018
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Rupert Huber
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Projekte:ERC grant 305003 QuantumsubCycle, SFB 1277: Emergente relativistische Effekte in der Kondensierten Materie: Von grundlegenden Aspekten zu elektronischer Funktionalität, GRK 1570, Elektronische Eigenschaften von Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1021/acs.nanolett.7b05132DOI
Stichwörter / Keywords:Dichalcogenides, atomically thin 2D crystals, van der Waals heterostructures, dielectric engineering, dark excitons
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:14 Feb 2018 15:33
Zuletzt geändert:14 Feb 2018 15:33
Dokumenten-ID:36719
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