Self-Diffusion in Amorphous Silicon by Local Bond Rearrangements

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-373843
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.37384

Kirschbaum, Jochen ; Teuber, T. ; Donner, A. ; Radek, M. ; Bougeard, Dominique ; Böttger, R. ; Lundsgaard Hansen, J. ; Nylandsted Larsen, A. ; Posselt, M. ; Bracht, H.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Jun 2018 11:19

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Experiments on self-diffusion in amorphous silicon (Si) were performed at temperatures between 460 to 600 degrees C. The amorphous structure was prepared by Si ion implantation of single crystalline Si isotope multilayers epitaxially grown on a silicon-on-insulator wafer. The Si isotope profiles before and after annealing were determined by means of secondary ion mass spectrometry. Isothermal ...

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