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Quantum transport in HgTe topological insulator nanostructures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-384286
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.38428
Ziegler, Johannes
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 12 Mrz 2019 11:51



Zusammenfassung (Englisch)

In this thesis, a number of transport effects in topological insulator nanostructures are investigated. A novel wet-chemical etching approach enabled the fabrication of high-quality nanostructures from strained HgTe thin films and CdTe/HgTe quantum wells and the investigations of topological boundary states in HgTe-based 2D and 3D topological insulators. Measurements of Hall bars, Aharonov-Bohm ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit wird eine Reihe von Transporteffekten in topologischen Isolator-Nanostrukturen untersucht. Ein nasschemischer Ätzprozess ermöglicht die Herstellung hochwertiger Nanostrukturen aus verspannten HgTe und CdTe/HgTe-Quantentrögen, sowie die Untersuchung topologischer Oberflächenzuständen in HgTe-basierten 2D- und 3D topologischen Isolatoren. Messungen an Hall-Bars, ...

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