Ultrafast carrier dynamics and the role of grain boundaries in polycrystalline silicon thin films grown by molecular beam epitaxy
Artikel
Titova, Lyubov V., Cocker, Tyler L., Xu, Sijia, Baribeau, Jean-Marc, Wu, Xiaohua, Lockwood, David J. und Hegmann, Frank A. (2016) Ultrafast carrier dynamics and the role of grain boundaries in polycrystalline silicon thin films grown by molecular beam epitaxy. Semiconductor Science and Technology 31 (10), S. 105017.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Semiconductor Science and Technology | ||||
| Verlag | IOP PUBLISHING LTD | ||||
| Ort der Veröffentlichung | BRISTOL | ||||
| Band | 31 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 10 | ||||
| Seitenbereich | S. 105017 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 17 Mrz 2020 12:08 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Rupert Huber | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | RESOLVED TERAHERTZ SPECTROSCOPY; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; TEMPERATURE SI GROWTH; AMORPHOUS-SILICON; LIMITING THICKNESS; NANOCRYSTAL FILMS; ON-SAPPHIRE; CONDUCTIVITY; SI(100); RECOMBINATION; silicon thin films; terahertz spectroscopy; grain boundaries; low-temperature MBE; carrier dynamics | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42970 |
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