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Characterisation of III-V semiconductor hybrid systems for spinorbitronic functionality

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DOI to cite this document:
Trottmann, Michaela
Date of publication of this fulltext: 21 Sep 2020 05:33

Abstract (English)

When considering quantization effects in 1D in the context of materials with strong spin-orbit interaction, new research fields have opened up as, for example, the high-topical field of topological quantum computation. Therein, the coupling of a high-mobility 2D electron gas with large spin-orbit interaction to an s-wave superconductor presents a fundamental part. In these experiments, quantum ...


Translation of the abstract (German)

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Potential InAs-basierter Materialsysteme als Entwicklungsplattform für zuverlässige und robuste 1D-Spinorbitronik-Bauelemente. Im Fokus dabei stehen Untersuchungen des Feldeffekt-gesteuerten elektrischen Transportverhaltens ein- und zweidimensionaler InGaAs/InAlAs-Systeme. Basierend auf den Erkenntnissen dieser Transportstudie, deren Ergebnisse in ...


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