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Characterisation of III-V semiconductor hybrid systems for spinorbitronic functionality

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-436800
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.43680
Trottmann, Michaela
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 21 Sep 2020 05:33


Zusammenfassung (Englisch)

When considering quantization effects in 1D in the context of materials with strong spin-orbit interaction, new research fields have opened up as, for example, the high-topical field of topological quantum computation. Therein, the coupling of a high-mobility 2D electron gas with large spin-orbit interaction to an s-wave superconductor presents a fundamental part. In these experiments, quantum ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Potential InAs-basierter Materialsysteme als Entwicklungsplattform für zuverlässige und robuste 1D-Spinorbitronik-Bauelemente. Im Fokus dabei stehen Untersuchungen des Feldeffekt-gesteuerten elektrischen Transportverhaltens ein- und zweidimensionaler InGaAs/InAlAs-Systeme. Basierend auf den Erkenntnissen dieser Transportstudie, deren Ergebnisse in ...

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