Photo-induced exfoliation of monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors
Artikel
Wu, Si-Si, Huang, Teng-Xiang, Lin, Kai-Qiang
, Yao, Xu, Hu, Jing-Ting, Tang, Ding-Liang, Bao, Yi-Fan und Ren, Bin
(2019)
Photo-induced exfoliation of monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors.
2D Materials 6 (4), 045052.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | 2D Materials | ||||
| Verlag | IOP PUBLISHING LTD | ||||
| Ort der Veröffentlichung | BRISTOL | ||||
| Band | 6 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 4 | ||||
| Seitenbereich | 045052 | ||||
| Datum | 2019 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 03 Sep 2021 09:42 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe John Lupton | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | LARGE-AREA SYNTHESIS; MOS2; FABRICATION; SURFACES; LAYERS; WSE2; photo-induced exfoliation; 2D semiconductors; transition metal dichalcogenides; monolayer fabrication; thinning | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 48162 |
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