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Data archive of "Charge quenching at defect states in transition metal dichalcogenide–graphene van derWaals heterobilayers"

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-543837
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.54383
Hernangómez-Pérez, Daniel ; Donarini, Andrea ; Refaely-Abramson, Sivan
[img]ZIP-Archiv
(141MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Jun 2023 08:19



Zusammenfassung

Abstract zur Publikation: We study the dynamical properties of pointlike defects, represented by monoatomic chalcogen vacancies, in WS2–graphene and MoS2–graphene heterobilayers. Employing a multidisciplinary approach based on the combination of ab initio, model Hamiltonian and density matrix techniques, we propose a minimal interacting model that allows for the calculation of electronic ...

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