Transient memory effect in the photoluminescence of InGaN single quantum wells
Artikel
Feldmeier, Christian, Abiko, Masayoshi, Schwarz, Ulrich T.
, Kawakami, Yoichi und Micheletto, Ruggero
(2009)
Transient memory effect in the photoluminescence of InGaN single quantum wells.
Optics Express 17 (25), S. 22855.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Optics Express | ||||
| Verlag | OPTICAL SOC AMER | ||||
| Ort der Veröffentlichung | WASHINGTON | ||||
| Band | 17 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 25 | ||||
| Seitenbereich | S. 22855 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 11:58 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz Chemie und Pharmazie > Institut für Organische Chemie | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | III NITRIDE SEMICONDUCTORS; OPTICAL METASTABILITY; GAN; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 66679 |
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