Transient memory effect in the photoluminescence of InGaN single quantum wells
Feldmeier, Christian, Abiko, Masayoshi, Schwarz, Ulrich T.
, Kawakami, Yoichi und Micheletto, Ruggero
(2009)
Transient memory effect in the photoluminescence of InGaN single quantum wells.
Optics Express 17 (25), S. 22855.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 11:58
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Optics Express | ||||
| Verlag: | OPTICAL SOC AMER | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WASHINGTON | ||||
| Band: | 17 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 25 | ||||
| Seitenbereich: | S. 22855 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz Chemie und Pharmazie > Institut für Organische Chemie | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | III NITRIDE SEMICONDUCTORS; OPTICAL METASTABILITY; GAN; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 66679 |
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