Anomalous Hall effect in highly Mn-Doped silicon films
Artikel
Nikolaev, S. N., Aronzon, B. A., Ryl’kov, V. V., Tugushev, V. V., Demidov, E. S., Levchuk, S. A., Lesnikov, V. P., Podol’skii, V. V. und Gareev, R. R. (2009) Anomalous Hall effect in highly Mn-Doped silicon films. JETP Letters 89 (12), S. 603-608.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | JETP Letters | ||||
| Verlag | MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER | ||||
| Ort der Veröffentlichung | NEW YORK | ||||
| Band | 89 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 12 | ||||
| Seitenbereich | S. 603-608 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 12:04 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | SEMICONDUCTORS; MN4SI7; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 67009 |
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