Anomalous Hall effect in highly Mn-Doped silicon films
Nikolaev, S. N., Aronzon, B. A., Ryl’kov, V. V., Tugushev, V. V., Demidov, E. S., Levchuk, S. A., Lesnikov, V. P., Podol’skii, V. V. und Gareev, R. R. (2009) Anomalous Hall effect in highly Mn-Doped silicon films. JETP Letters 89 (12), S. 603-608.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 12:04
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | JETP Letters | ||||
| Verlag: | MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | NEW YORK | ||||
| Band: | 89 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 12 | ||||
| Seitenbereich: | S. 603-608 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | SEMICONDUCTORS; MN4SI7; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 67009 |
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