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STM and laser-driven atom switch: An open-system density-matrix study of H/Si(100)

Abe, Atsutoshi ; Yamashita, Koichi ; Saalfrank, Peter



Zusammenfassung

A recently proposed single atom switch, experimentally realized with a scanning tunneling microscope (STM) for H on a Si(100) surface [U.J. Quaade , Surf. Sci. 415, L1037 (1998)], is examined here theoretically. Using a two-state model and open-system density matrix theory which includes both electronic and vibrational relaxation of the adsorbate, we argue that the switching is dominated by ...

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