Modeling of Cu gettering in p- and n-type silicon and in poly-silicon
Artikel
Hoelzl, R., Range, K.-J. und Fabry, L. (2002) Modeling of Cu gettering in p- and n-type silicon and in poly-silicon. Applied Physics A: Materials Science & Processing 75 (4), S. 525-534.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics A: Materials Science & Processing | ||||
| Verlag | SPRINGER-VERLAG | ||||
| Ort der Veröffentlichung | NEW YORK | ||||
| Band | 75 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 4 | ||||
| Seitenbereich | S. 525-534 | ||||
| Datum | 2002 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 15:37 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Dr. Klaus-Jürgen Range | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | DIFFUSION-COEFFICIENT; INTERSTITIAL COPPER; ENHANCED SOLUBILITY; PRECIPITATION; IMPURITIES; KINETICS; WAFERS; BORON; IRON; CONTAMINATION; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 72700 |
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