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Novák, V. ; Cukr, M. ; Schowalter, D. ; Prettl, W.

Electron mobility measurement inn−GaAsat low-temperature impurity breakdown

Novák, V., Cukr, M., Schowalter, D. und Prettl, W. (2000) Electron mobility measurement inn−GaAsat low-temperature impurity breakdown. Physical Review B 62 (24), S. 16768-16772.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:55
Artikel



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review B
Verlag:AMER PHYSICAL SOC
Ort der Veröffentlichung:COLLEGE PK
Band:62
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:24
Seitenbereich:S. 16768-16772
Datum2000
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevB.62.16768DOI
Stichwörter / KeywordsMONTE-CARLO SIMULATION; CURRENT FILAMENTATION; MAGNETORESISTANCE; TRANSITION; REGIME; GE;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID73971

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