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Novák, V. ; Cukr, M. ; Schowalter, D. ; Prettl, W.

Electron mobility measurement inn−GaAsat low-temperature impurity breakdown

Artikel

Novák, V., Cukr, M., Schowalter, D. und Prettl, W. (2000) Electron mobility measurement inn−GaAsat low-temperature impurity breakdown. Physical Review B 62 (24), S. 16768-16772.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review B
VerlagAMER PHYSICAL SOC
Ort der VeröffentlichungCOLLEGE PK
Band62
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels24
SeitenbereichS. 16768-16772
Datum2000
Veröffentlichungsdatum19 Dez 2024 15:55
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevB.62.16768DOI
Stichwörter / KeywordsMONTE-CARLO SIMULATION; CURRENT FILAMENTATION; MAGNETORESISTANCE; TRANSITION; REGIME; GE;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID73971

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