Gettering of Copper and Nickel in p/p+ Epitaxial Wafers
Artikel
Hoelzl, R., Huber, D., Range, K. -J., Fabry, L., Hage, J. und Wahlich, R. (2000) Gettering of Copper and Nickel in p/p+ Epitaxial Wafers. Journal of The Electrochemical Society 147 (7), S. 2704.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of The Electrochemical Society | ||||
| Verlag | ELECTROCHEMICAL SOC INC | ||||
| Ort der Veröffentlichung | PENNINGTON | ||||
| Band | 147 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 7 | ||||
| Seitenbereich | S. 2704 | ||||
| Datum | 2000 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 15:57 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Dr. Klaus-Jürgen Range | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | TRANSIENT ION-DRIFT; DIFFUSION-COEFFICIENT; MASS-SPECTROMETRY; SILICON-WAFERS; SOLUBILITY; CU; CONTAMINATION; NANOCAVITIES; NI; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 74198 |
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