Impact of biased cooling on the operation of undoped silicon quantum well field-effect devices

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-752280
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.75228

Diebel, Laura K. ; Zinkl, Lukas G. ; Hötzinger, Andreas ; Reichmann, Felix ; Lisker, Marco ; Yamamoto, Yuji ; Bougeard, Dominique

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 12 Mrz 2025 14:40

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Gate-tunable semiconductor nanosystems are getting more and more important in the realization of quantum circuits. While such devices are typically cooled to operation temperature with zero bias applied to the gate, biased cooling corresponds to a non-zero gate voltage being applied before reaching the operation temperature. We systematically study the effect of biased cooling on ...

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