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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-763983
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.76398
Zusammenfassung
Van der Waals heterostructures based on transition metal dichalcogenides exhibit physical properties that depend on their monolayer constituents’ twisting angle and stacking order. Particularly in type-II heterostructures, low-energy photoluminescence is dominated by interlayer excitons, resulting in low emission yields, which drastically hampers their optoelectronic applicability. This study ...
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