Quantum Hall effect and current distribution in the three-dimensional topological insulator HgTe

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-764372
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.76437

Hartl, Stefan Felix

; Freund, L. ; Kühn, M. ; Ziegler, J. ; Richter, Elisabeth

; Himmler, Wolfgang

; Bärenfänger, Jan

; Kozlov, Dmitriy A.

; Mikhailov, N. N. ; Weis, J. ; Weiss, Dieter

Lizenz: Creative Commons Namensnennung 4.0 International
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Mrz 2025 08:28

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We study the quantum Hall effect (QHE) in the three-dimensional topological insulator HgTe, which features topological Dirac-type surface states in a bulk gap opened by strain. Despite the coexistence of multiple carrier subsystems, the system exhibits perfectly quantized Hall plateaus at high magnetic fields. Here we study the system using three different experimental techniques: Transport ...

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