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Magnetic Field Dependence of Gate Voltage and Current in a GaAs-Heterostructure in the Quantum Hall Regime
Weiss, Dieter, Mosser, V., Gudmundsson, V., Gerhardts, R. und Klitzing, Klaus von (1987) Magnetic Field Dependence of Gate Voltage and Current in a GaAs-Heterostructure in the Quantum Hall Regime. Solid State Communication 62 (2), S. 89-91.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:57
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.7852
Zusammenfassung
The current flow at a fixed gate voltage and the floating gate voltage for fixed charge density in a gated GaAs heterostructure have been measured as a function of the magnetic field. The voltage oscillations which reflect the behaviour of the chemical potential have been clearly resolved. The experimental results are explained by a statistical model of inhomogeneities in the carrier concentration implying an effective density of states between the Landau levels.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Solid State Communication | ||||
| Verlag: | Pergamon Press; Elsevier | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 62 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 2 | ||||
| Seitenbereich: | S. 89-91 | ||||
| Datum | 1987 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-78527 | ||||
| Dokumenten-ID | 7852 |
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