Startseite UR

Magnetic Field Dependence of Gate Voltage and Current in a GaAs-Heterostructure in the Quantum Hall Regime

Weiss, Dieter, Mosser, V., Gudmundsson, V., Gerhardts, R. und Klitzing, Klaus von (1987) Magnetic Field Dependence of Gate Voltage and Current in a GaAs-Heterostructure in the Quantum Hall Regime. Solid State Communication 62 (2), S. 89-91.

[img]
Vorschau
PDF
Download (279kB)

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

The current flow at a fixed gate voltage and the floating gate voltage for fixed charge density in a gated GaAs heterostructure have been measured as a function of the magnetic field. The voltage oscillations which reflect the behaviour of the chemical potential have been clearly resolved. The experimental results are explained by a statistical model of inhomogeneities in the carrier concentration implying an effective density of states between the Landau levels.


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:1987
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0038-1098(87)91118-5 DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Mai 2009 13:19
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 13:47
Dokumenten-ID:7852
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner