Electrical Control of Intersubband Transitions in Few-Layer WSe₂ Multivalley Quantum Wells Probed by Electronic Raman Scattering

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-787254
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.78725

Wutz, Philipp ; Zhang, Yinong ; Hofmann, Felix J. ; Faria Junior, Paulo E.

; Lu, Yao ; Soul, Philip ; Bao, Yu-Han ; Watanabe, Kenji

; Taniguchi, Takashi ; Fabian, Jaroslav

; Bange, Sebastian

; Lupton, John M.

; Lin, Kai-Qiang

Lizenz: Creative Commons Namensnennung 4.0 International
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 24 Feb 2026 13:00

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Semiconducting quantum wells have enabled revolutionary applications in diode lasers, IR photodetectors, and optical modulators. Recently, van der Waals (vdW) quantum wells have emerged as a promising frontier, offering inherently atomically sharp interfaces and facile integration into device structures without the constraints of lattice matching. Tunability of intersubband transitions is ...

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