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Skipping orbits and enhanced resistivity in large diameter InAs/GaSb antidot lattices

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-79045
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.7904
Eroms, Jonathan ; Zitzlsperger, M. ; Weiss, Dieter ; Smet, J. ; Albrecht, C. ; Fleischmann, R. ; Behet, M. ; DeBoeck, J. ; Borghs, G.
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PDF - Veröffentlichte Version
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:57



Zusammenfassung

We investigated the magnetotransport properties of high-mobility InAs/GaSb antidot lattices. For samples with large antidot diameter, we found a broad maximum of classical origin around 2.5 T in addition to the usual commensurability features at low magnetic fields. The broad maximum can be ascribed to a class of orbits involving multiple reflections on a single antidot. This is shown by ...

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