Fast Charge Sensing of Si/SiGe Quantum Dots via a High-Frequency Accumulation Gate

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-791662
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.79166

Volk, Christian ; Chatterjee, Anasua ; Ansaloni, Fabio ; Marcus, Charles M. ; Kuemmeth, Ferdinand

PDF - Eingereichte Version
arxiv v2
(8MB)

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 09 Apr 2026 07:27

Alternative Links zum Volltext:DOI Arxiv Verlag

Details

Vorschau: arxiv v2

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Quantum dot arrays are a versatile platform for the implementation of spin qubits, as high-bandwidth sensor dots can be integrated with single-, double-, and triple-dot qubits yielding fast and high-fidelity qubit readout. However, for undoped silicon devices, reflectometry off sensor ohmics suffers from the finite resistivity of the two-dimensional electron gas (2DEG), and alternative readout ...

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloadstatistik

Altmetric

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

nach oben