Elongated quantum dot as a distributed charge sensor

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-792007
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.79200

Patomäki, S. M. ; Williams, J. ; Berritta, F. ; Lainé, C. ; Fogarty, M. A. ; Leon, R. C. C. ; Jussot, J. ; Kubicek, S. ; Chatterjee, A. ; Govoreanu, B. ; Kuemmeth, Ferdinand

; Morton, J. J. L. ; Gonzalez-Zalba, M. F.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 10 Apr 2026 04:41

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Increasing the separation between semiconductor quantum dots offers scaling advantages by facilitating gate routing and the integration of sensors and charge reservoirs. Elongated quantum dots have been utilized for this purpose in GaAs heterostructures to extend the range of spin-spin interactions. Here, we study a MOS device where two quantum dot arrays are separated by an elongated quantum dot ...

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