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Hole-intersubband excitations and luminescence transitions in p-doped GaAs---AlGaAs multiple quantum wells

Dahl, M., Ils, P., Kraus, J., Müller, B., Schaack, G., Schüller, Christian, Ebeling, J. K. und Weimann, G. (1991) Hole-intersubband excitations and luminescence transitions in p-doped GaAs---AlGaAs multiple quantum wells. Superlattices and Microstructures 9 (1), S. 77-81.

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Zusammenfassung

We have performed resonant Raman spectroscopy on two p-type modulation-doped GaAs---AlGaAs multiple quantum well structures with well widths dW = 10 nm and dW = 30 nm. With the frequency of the dyelaser nearly in resonance with the energy difference between conduction and valence band states of the same subband quantum number n we simultaneously observe Raman intensity of hole intersubband ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1991
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/0749-6036(91)90096-ADOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Okt 2009 09:20
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:22
Dokumenten-ID:9651
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