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Publikationen von 0000-0002-0735-4608
(ORCID: 0000-0002-0735-4608)
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Anzahl der Einträge: 5.
2020
Hubmann, Stefan, Budkin, G. V. 
, Otteneder, M., But, D. , Sacré, Daniel , Yahniuk, I., Diendorfer, K , Bel'kov, V. V., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Varavin, V. S. , Remesnik, V. G., Tarasenko, S. A., Knap, W. und Ganichev, Sergey
(2020)
Symmetry breaking and circular photogalvanic effect in epitaxial CdxHg1-xTe films.
Phys. Rev. Materials 4, 043607.
2019
Zagrajek, Przemyslaw , Danilov, Sergey N., Marczewski, Jacek, Zaborowski, Michal, Kolacinski, Cezary , Obrebski, Dariusz, Kopyt, Pawel, Salski, Bartlomiej, But, Dmytro , Knap, Wojciech und Ganichev, Sergey D.
(2019)
Time Resolution and Dynamic Range of Field-Effect Transistor–Based Terahertz Detectors.
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 40 (7), S. 703-719.
Volltext nicht vorhanden.
, Danilov, Sergey N., Marczewski, Jacek, Zaborowski, Michal, Kolacinski, Cezary , Obrebski, Dariusz, Kopyt, Pawel, Salski, Bartlomiej, But, Dmytro , Knap, Wojciech und Ganichev, Sergey D.
(2019)
Time Resolution and Dynamic Range of Field-Effect Transistor–Based Terahertz Detectors.
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 40 (7), S. 703-719.
Volltext nicht vorhanden.
2016
Dyakonova, N., Faltermeier, P., But, D. B. , Coquillat, D., Ganichev, S. D., Knap, W., Szkudlarek, K. und Cywinski, G.
(2016)
Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector.
Journal of Applied Physics 120 (16), S. 164507.
Volltext nicht vorhanden.
, Coquillat, D., Ganichev, S. D., Knap, W., Szkudlarek, K. und Cywinski, G.
(2016)
Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector.
Journal of Applied Physics 120 (16), S. 164507.
Volltext nicht vorhanden.
2015
Dyakonova, N., But, D.B. , Coquillat, D., Knap, W., Drexler, C., Olbrich, P., Karch, J., Schafberger, M., Ganichev, S.D., Ducournau, G., Gaquiere, C., Poisson, M.−A., Delage, S., Cywinski, G. und Skierbiszewski, C.
(2015)
AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation.
Opto-Electronics Review 23 (3).
Volltext nicht vorhanden.
, Coquillat, D., Knap, W., Drexler, C., Olbrich, P., Karch, J., Schafberger, M., Ganichev, S.D., Ducournau, G., Gaquiere, C., Poisson, M.−A., Delage, S., Cywinski, G. und Skierbiszewski, C.
(2015)
AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation.
Opto-Electronics Review 23 (3).
Volltext nicht vorhanden.
2014
But, D. B. , Drexler, C., Sakhno, M. V., Dyakonova, N., Drachenko, O., Sizov, F. F., Gutin, A., Ganichev, Sergey und Knap, W.
(2014)
Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities.
Journal of Applied Physics 115 (16), S. 164514.
Volltext nicht vorhanden.
, Drexler, C., Sakhno, M. V., Dyakonova, N., Drachenko, O., Sizov, F. F., Gutin, A., Ganichev, Sergey und Knap, W.
(2014)
Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities.
Journal of Applied Physics 115 (16), S. 164514.
Volltext nicht vorhanden.
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