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Publikationen von 0000-0002-0735-4608
(ORCID: 0000-0002-0735-4608)

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Anzahl der Einträge: 5.

2020

Hubmann, Stefan, Budkin, G. V. , Otteneder, M., But, D. , Sacré, Daniel , Yahniuk, I., Diendorfer, K , Bel'kov, V. V., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., Varavin, V. S. , Remesnik, V. G., Tarasenko, S. A., Knap, W. und Ganichev, Sergey (2020) Symmetry breaking and circular photogalvanic effect in epitaxial CdxHg1-xTe films. Phys. Rev. Materials 4, 043607.

2019

Zagrajek, Przemyslaw , Danilov, Sergey N., Marczewski, Jacek, Zaborowski, Michal, Kolacinski, Cezary , Obrebski, Dariusz, Kopyt, Pawel, Salski, Bartlomiej, But, Dmytro , Knap, Wojciech und Ganichev, Sergey D. (2019) Time Resolution and Dynamic Range of Field-Effect Transistor–Based Terahertz Detectors. Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 40 (7), S. 703-719. Volltext nicht vorhanden.

2016

Dyakonova, N., Faltermeier, P., But, D. B. , Coquillat, D., Ganichev, S. D., Knap, W., Szkudlarek, K. und Cywinski, G. (2016) Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector. Journal of Applied Physics 120 (16), S. 164507. Volltext nicht vorhanden.

2015

Dyakonova, N., But, D.B. , Coquillat, D., Knap, W., Drexler, C., Olbrich, P., Karch, J., Schafberger, M., Ganichev, S.D., Ducournau, G., Gaquiere, C., Poisson, M.−A., Delage, S., Cywinski, G. und Skierbiszewski, C. (2015) AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation. Opto-Electronics Review 23 (3). Volltext nicht vorhanden.

2014

But, D. B. , Drexler, C., Sakhno, M. V., Dyakonova, N., Drachenko, O., Sizov, F. F., Gutin, A., Ganichev, Sergey und Knap, W. (2014) Nonlinear photoresponse of field effect transistors terahertz detectors at high irradiation intensities. Journal of Applied Physics 115 (16), S. 164514. Volltext nicht vorhanden.

Diese Liste wurde erzeugt am Wed May 6 05:05:28 2026 CEST.
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