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Einträge von Fecher, Gerhard H. auf dem Publikationsserver

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2010

Ouardi, Siham, Fecher, Gerhard H., Balke, Benjamin, Kozina, Xenia, Stryganyuk, Gregory, Felser, Claudia, Lowitzer, Stephan, Koedderitzsch, Diemo, Ebert, Hubert und Ikenaga, Eiji (2010) Electronic transport properties of electron- and hole-doped semiconducting C1b Heusler compounds: NiTi1−xMxSn (M=Sc, V). Physical Review B (PRB) 82, 085108.

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