Einträge von Pech, R. auf dem Publikationsserver
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2002
Hölzl, R., Fabry, L., Range, K.-J. und Pech, R.
(2002)
MeV-boron implanted layer, oxygen precipitates and poly-silicon back side combined in one silicon wafer: at what defect will Cu and Ni be gettered?
Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (4), S. 545-551.
Volltext nicht vorhanden.