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Density dependent cyclotron and intersubband resonance in inverted CdTe/HgTe/CdTe quantum wells.

Schultz, M. und Merkt, U. und Sonntag, A. und Rössler, Ulrich und Colin, T. und Helgesen, P. und Skauli, T. und Lovold, S. (1998) Density dependent cyclotron and intersubband resonance in inverted CdTe/HgTe/CdTe quantum wells. Journal of Crystal Growth 184-18, S. 1180-1184.

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Zusammenfassung

Cyclotron and intersubband resonances in HgTe quantum wells in the inverted band regime are studied by Fourier-transform spectroscopy. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) allow us to tune the electron density. In particular, we investigate filling factor dependent splittings of the cyclotron resonance in strong magnetic fields and a crossing of Landau levels of the conduction and valence subband. The experimental results are well described by a 6 × 6 k·p-model.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:2 Februar 1998
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Rössler
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S0022-0248(98)80247-9DOI
Stichwörter / Keywords:HgTe; CdTe; Quantum well; Two-dimensional electron system; Cyclotron resonance; Intersubband resonance
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 09:53
Dokumenten-ID:1383
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