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Spin Hall Effect

Schliemann, John (2006) Spin Hall Effect. Int. J. of Mod. Phys. B 20, S. 1015.

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Zusammenfassung

The intrinsic spin Hall effect in semiconductors has developed to a remarkably lively and rapidly growing branch of research in the field of semiconductor spintronics. In this article we give a pedagogical overview on both theoretical and experimental accomplishments and challenges. Emphasis is put on the the description of the intrinsic mechanisms of spin Hall transport in III-V zinc-blende semiconductors, and on the effects of dissipation.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:2006
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Grifoni > Arbeitsgruppe John Schliemann
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
cond-mat/0602330arXiv-ID
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0602330Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:04
Dokumenten-ID:1788
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