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Publikationen von Vorobjev, L. E.

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Anzahl der Einträge: 4.

2010

Firsov, D. A., Vorobjev, L. E., Shalygin, V. A., Sofronov, A. N., Vinchenko, M. Ya., Thumrogsilapa, P., Ganichev, Sergey, Danilov, S. N. und Zhukov, A. E. (2010) Absorption and modulation of radiation in nanostructures with p-GaAs/AlGaAs QWs. Bulletin of the Russian Academy of Sciences : Physics 74, S. 91. Volltext nicht vorhanden.

2008

Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Shalygin, Vadim, Panevin, V. Y., Sofronov, A. N., Ustinov, V. M., Zhukov, A. E., Egorov, A. Yu., Andrianov, A. V., Zakhar'in, A. O., Ganichev, Sergey, Danilov, Sergey und Kozlov, D. V. (2008) Terahertz luminescence and absorption under impurity breakdown in quantum wells and
strained semiconductor layers.
Acta Physica Polonica A 113, S. 925. Volltext nicht vorhanden.

2001

Ganichev, Sergey, Danilov, Sergey, Belkov, Vassilij, Ivchenko, Eougenious, Ketterl, Hermann, Wegscheider, Werner, Vorobjev, L. E., Bichler, Max und Prettl, Wilhelm (2001) Nonlinear photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation of holes in QWs. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 10 (1-3), S. 52-56. Zugang zum Volltext eingeschränkt.

Ganichev, Sergey, Ivchenko, Eougenious, Ketterl, Hermann, Vorobjev, L. E., Bichler, Max, Wegscheider, Werner und Prettl, Wilhelm (2001) Circular photogalvanic effect in p-GaAs/AlGaAs MQW. In: Miura, Noboru und Ando, T., (eds.) Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Springer proceedings in physics, 87. Springer, Berlin, S. 719-720. ISBN 3-540-41778-8. Volltext nicht vorhanden.

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