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Intersubbandelektrolumineszenz im Mittleren Infrarot von GaAs/AlGaAs-Quantendrahtkaskadenstrukturen hergestellt mittels Überwachsen von Spaltflächen

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-3507
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.10251
Schmult, Stefan
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 14 Feb 2005 06:48


Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit wird ein neuartiger elektrisch gepumpter Intersubbandemitter für den Spektralbereich des Mittleren Infrarot vorgestellt. Dabei handelt es sich um einen Quantenkaskadenemitter, welcher mittels des epitaktischen Überwachsens von atomar glatten Spaltflächen (CEO) im GaAs/AlGaAs-Heterosystem realisiert wurde. Begleitende theoretische Betrachtungen sagen elektronische Übergänge ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

A novel electrically pumped intersubband emitter device for the mid-infrared spectral region is presented in this thesis. The device is a quantum cascade emitter, realised in GaAs/AlGaAs material system with Cleaved Egde Overgrowth, a technique relying on the epitaxial regrowth of atomically smooth surfaces. Accompanying theoretical considerations predict electronic transitions between quantum ...

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