In dieser Arbeit wird ein neuartiger elektrisch gepumpter Intersubbandemitter für den Spektralbereich des Mittleren Infrarot vorgestellt. Dabei handelt es sich um einen Quantenkaskadenemitter, welcher mittels des epitaktischen Überwachsens von atomar glatten Spaltflächen (CEO) im GaAs/AlGaAs-Heterosystem realisiert wurde. Begleitende theoretische Betrachtungen sagen elektronische Übergänge zwischen quantendrahtartigen Zuständen in einer derartigen Struktur vorher. An diesen Quantendrahtkaskadenemitterstrukturen konnte Elektrolumineszenz bei einer Zentralwellenlänge von 8.5µm bei einer Temperatur von 20K nachgewiesen werden. Die maximale optische Ausgangsleistung beträgt über 10nW und die beobachteten Übergangsenergien stimmen in vielen Punkten exzellent mit den theoretischen Vorhersagen überein.

A novel electrically pumped intersubband emitter device for the mid-infrared spectral region is presented in this thesis. The device is a quantum cascade emitter, realised in GaAs/AlGaAs material system with Cleaved Egde Overgrowth, a technique relying on the epitaxial regrowth of atomically smooth surfaces. Accompanying theoretical considerations predict electronic transitions between quantum wire-like states in that kind of structure. Electroluminescence out of these quantum wire cascade emitter structures has been detected at a peak wavelength of 8.5µm, at a temperature of 20K. The maximum optical output power detected from the devices was over 10nW and the observed transition energies approximately agree with the theoretical predictions.