Transportuntersuchungen an strukturierten Halbleiterheterostrukturspaltkanten

Zusammenfassung (Deutsch)

Halbleiter-Übergitter eignen sich hervorragend für das Studium der Physik von Elektronen im periodischen Potential. Im Rahmen dieser Arbeit wurden vertikale GaAs/AlGaAs Übergitter mit Hilfe der so genannten Cleaved-Edge-Overgrowth Methode auf ihrer Spaltfläche mit einem 2-dimensionalen Elektronensystem (2DES) versehen. Koppelt das 2-dimensionale Elektronensystem ausreichend stark an das ...

Zusammenfassung (Deutsch)

Halbleiter-Übergitter eignen sich hervorragend für das Studium der Physik von Elektronen im periodischen Potential. Im Rahmen dieser Arbeit wurden vertikale GaAs/AlGaAs Übergitter mit Hilfe der so genannten Cleaved-Edge-Overgrowth Methode auf ihrer Spaltfläche mit einem 2-dimensionalen Elektronensystem (2DES) versehen. Koppelt das 2-dimensionale Elektronensystem ausreichend stark an das vergrabene GaAs/AlGaAs-Übergitter entsteht ein in einer räumlichen Dimension dichtemoduliertes 2DES. Mit Hilfe speziell entwickelter Methoden wurde eine Hallbar auf die überwachsene Spaltfläche strukturiert, die über laterale Zuleitungsschichten Messungen in voller 4-Punkt Geometrie erlaubt. Bei Temperaturen im Millikelvinbereich konnten parallel zum Übergitter erstmals 1/B-periodische Oszillationen höherer Ordnung im Längswiderstandsverlauf beobachtet werden, die den prominentesten Fermikonturen der Bandstruktur des modulierten Systems zugeordnet werden können. Die Strukturierung eines Liniengitters kleinster Periode senkrecht zum gewachsenen Übergitter führt schließlich zu räumlich 2-dimensionaler Modulation. Auch in diesem Fall konnte die Bandstruktur des Systems erfolgreich über die Frequenzanteile des Magnetowiderstands nachgewiesen werden.

Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

Semiconductor superlattices are an excellent tool to study the physics of electrons in a periodic potential. Vertical GaAs/AlGaAs superlattices were used to density modulate a 2-dimensional electron system (2DES), which was grown onto the cleaved edge of the vertical superlattice structure. This technique is called cleaved edge overgrowth. By using newly developed methods a Hall bar was ...

Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

Semiconductor superlattices are an excellent tool to study the physics of electrons in a periodic potential. Vertical GaAs/AlGaAs superlattices were used to density modulate a 2-dimensional electron system (2DES), which was grown onto the cleaved edge of the vertical superlattice structure. This technique is called cleaved edge overgrowth. By using newly developed methods a Hall bar was structured into the overgrown cleaved edge, which allows magneto transport measurements in full 4-point geometry via lateral contacts. 1/B-periodic oscillations in the longitudinal resistance parallel to a grown superlattice were observed at mK temperatures for the first time. The oscillations can be addressed to the most prominent Fermi contours of the 1D-modulated system. Periodically arranged oxide lines, structured perpendicular to the grown superlattice, lead to modulation in 2 spatial dimensions. The modulated band structure was successfully shown in the Fourier spectra of the magetoresistance oscillations.

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