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Schliemann, John

Spin Hall Effect

Schliemann, John (2006) Spin Hall Effect. Int. J. of Mod. Phys. B 20, S. 1015.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:32
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.1788


Zusammenfassung

The intrinsic spin Hall effect in semiconductors has developed to a remarkably lively and rapidly growing branch of research in the field of semiconductor spintronics. In this article we give a pedagogical overview on both theoretical and experimental accomplishments and challenges. Emphasis is put on the the description of the intrinsic mechanisms of spin Hall transport in III-V zinc-blende semiconductors, and on the effects of dissipation.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftInt. J. of Mod. Phys. B
Band:20
Seitenbereich:S. 1015
Datum2006
InstitutionenPhysik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Grifoni > Arbeitsgruppe John Schliemann
Identifikationsnummer
WertTyp
cond-mat/0602330arXiv-ID
Verwandte URLs
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0602330Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-17885
Dokumenten-ID1788

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