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Spin Hall Effect
Schliemann, John (2006) Spin Hall Effect. Int. J. of Mod. Phys. B 20, S. 1015.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:32
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.1788
Zusammenfassung
The intrinsic spin Hall effect in semiconductors has developed to a remarkably lively and rapidly growing branch of research in the field of semiconductor spintronics. In this article we give a pedagogical overview on both theoretical and experimental accomplishments and challenges. Emphasis is put on the the description of the intrinsic mechanisms of spin Hall transport in III-V zinc-blende semiconductors, and on the effects of dissipation.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Int. J. of Mod. Phys. B | ||||
| Band: | 20 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Seitenbereich: | S. 1015 | ||||
| Datum | 2006 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Grifoni > Arbeitsgruppe John Schliemann | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Verwandte URLs |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-17885 | ||||
| Dokumenten-ID | 1788 |
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