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Mechanisms of magnetoresistance in variable-range-hopping transport for two-dimensional electron systems

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-188277
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.18827
Raikh, M. E. ; Czingon, J. ; Ye, Qiu-yi ; Koch, F. ; Schoepe, Wilfried ; Ploog, K.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Dez 2010 14:14



Zusammenfassung

The temperature and magnetic-field dependencies of hopping transport in dilutely doped δ layers have been measured under the conditions for which the variable-range mechanism applies. We trace the transition from negative magnetoresistance in low fields to positive magnetoresistance in high fields. In the range of intermediate fields, the resistance in the perpendicular orientation appears to be ...

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