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Localization of the phantom force induced by the tunneling current

Wutscher, Thorsten, Weymouth, Alfred J. und Giessibl, Franz J. (2012) Localization of the phantom force induced by the tunneling current. Physical Review B (PRB) 85 (19), 195426-1-195426-6.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.85.195426


Zusammenfassung

The phantom force is an apparently repulsive force, which can dominate the atomic contrast of an AFM image when a tunneling current is present. We described this effect with a simple resistive model, in which the tunneling current causes a voltage drop at the sample area underneath the probe tip. Because tunneling is a highly local process, the areal current density is quite high, which leads to ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:14 Mai 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Franz J. Giessibl
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen, GRK 1570, Elektronische Eigenschaften von Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.85.195426DOI
Klassifikation:
NotationArt
Nicht ausgewählt
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Jul 2012 06:06
Zuletzt geändert:19 Dez 2016 16:56
Dokumenten-ID:25267
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