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Localization of the phantom force induced by the tunneling current

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-252674

Wutscher, Thorsten, Weymouth, Alfred J. und Giessibl, Franz J. (2012) Localization of the phantom force induced by the tunneling current. Physical Review B (PRB) 85 (19), 195426-1-195426-6.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.85.195426


Zusammenfassung

The phantom force is an apparently repulsive force, which can dominate the atomic contrast of an AFM image when a tunneling current is present. We described this effect with a simple resistive model, in which the tunneling current causes a voltage drop at the sample area underneath the probe tip. Because tunneling is a highly local process, the areal current density is quite high, which leads to ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:14 Mai 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Franz J. Giessibl
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen, GRK 1570, Elektronische Eigenschaften von Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.85.195426DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Jul 2012 06:06
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:33
Dokumenten-ID:25267
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