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Weymouth, Alfred J. ; Wutscher, Thorsten ; Welker, Joachim ; Hofman, Thomas ; Giessibl, Franz J.

Phantom Force Induced by Tunneling Current: A Characterization on Si(111)

Weymouth, Alfred J. , Wutscher, Thorsten, Welker, Joachim, Hofman, Thomas und Giessibl, Franz J. (2011) Phantom Force Induced by Tunneling Current: A Characterization on Si(111). Physical Review Letters (PRL) 106 (22), 226801-1-226801-4.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Jul 2012 05:52
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.25274


Zusammenfassung

Simultaneous measurements of tunneling current and atomic forces provide complementary atomic-scale data of the electronic and structural properties of surfaces and adsorbates. With these data, we characterize a strong impact of the tunneling current on the measured force on samples with limited conductivity. The effect is a lowering of the effective gap voltage through sample resistance which in ...

Simultaneous measurements of tunneling current and atomic forces provide complementary atomic-scale data of the electronic and structural properties of surfaces and adsorbates. With these data, we characterize a strong impact of the tunneling current on the measured force on samples with limited conductivity. The effect is a lowering of the effective gap voltage through sample resistance which in turn lowers the electrostatic attraction, resulting in an apparently repulsive force. This effect is expected to occur on other low-conductance samples, such as adsorbed molecules, and to strongly affect Kelvin probe measurements when tunneling occurs.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review Letters (PRL)
Verlag:AMER PHYSICAL SOC
Ort der Veröffentlichung:COLLEGE PK
Band:106
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:22
Seitenbereich:226801-1-226801-4
Datum1 Juni 2011
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Franz J. Giessibl
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.106.226801DOI
Klassifikation
NotationArt
73.63.RtPACS
68.37.PsPACS
73.50.-hPACS
Stichwörter / KeywordsSILICON (111)-(7X7) SURFACE; 7 X 7; CONTRAST INVERSION; ATOMIC-RESOLUTION; REAL SPACE; MICROSCOPY; TIP; VACUUM;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-252746
Dokumenten-ID25274

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