Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate
Gmeinwieser, N., Engl, K., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, S., Lugauer, H., Leber, A., Lell, A. und Härle, V. (2004) Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate. Journal of Appli ed Physics 96, J. Appl. Phys..Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:40
Artikel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Appli ed Physics |
| Band: | 96 |
|---|---|
| Seitenbereich: | J. Appl. Phys. |
| Datum | 2004 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2600 |
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