Gate-controlled persistent spin helix state in (In,Ga)As quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-268016
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.26801

Kohda, M. ; Lechner, Vera ; Kunihashi, Y. ; Dollinger, Tobias

; Olbrich, Peter ; Schönhuber, Christoph ; Caspers, Ines ; Belkov, Vassilij ; Golub, Leonid

; Weiss, Dieter

; Richter, Klaus ; Nitta, J. ; Ganichev, Sergey

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 22 Nov 2012 10:08

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In layered semiconductors with spin-orbit interaction (SOI) a persistent spin helix (PSH) state with suppressed spin relaxation is expected if the strengths of the Rashba and Dresselhaus SOI terms, alpha and beta, are equal. Here we demonstrate gate control and detection of the PSH in two-dimensional electron systems with strong SOI including terms cubic in momentum. We consider strain-free ...

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