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| PDF - Eingereichte Version arXiv PDF (25.05.2012) (540kB) |
- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-268016
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.26801
Zusammenfassung
In layered semiconductors with spin-orbit interaction (SOI) a persistent spin helix (PSH) state with suppressed spin relaxation is expected if the strengths of the Rashba and Dresselhaus SOI terms, α and β, are equal. Here we demonstrate gate control and detection of the PSH in two-dimensional electron systems with strong SOI including terms cubic in momentum. We consider strain-free ...
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