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Nonballistic Spin-Field-Effect Transistor

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-282397

Schliemann, John, Egues, J. Carlos und Loss, Daniel (2003) Nonballistic Spin-Field-Effect Transistor. Phys. Rev. Lett. 90, S. 146801.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.90.146801, http://prl.aps.org/pdf/PRL/v90/i14/e146801


Zusammenfassung

We propose a spin-field-effect transistor based on spin-orbit coupling of both the Rashba and the Dresselhaus types. Different from earlier proposals, spin transport through our device is tolerant against spin-independent scattering processes. Hence the requirement of strictly ballistic transport can be relaxed. This follows from a unique interplay between the Dresselhaus and the Rashba coupling; ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:8 April 2003
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Grifoni > Arbeitsgruppe John Schliemann
Projekte:NCCR
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.90.146801DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:22 Mai 2013 13:52
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:28239
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