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The effect of sample resistivity on Kelvin probe force microscopy

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-338062

Weymouth, Alfred Jay und Giessibl, Franz J. (2012) The effect of sample resistivity on Kelvin probe force microscopy. Applied Physics Letters 101, S. 213105-1.

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Zusammenfassung

Kelvin probe force microscopy (KPFM) is a powerful technique to probe the local electronic structure of materials with atomic force microscopy. One assumption often made is that the applied bias drops fully in the tip-sample junction. We have recently identified an effect, the Phantom force, which can be explained by an ohmic voltage drop near the tip-sample junction causing a reduction of the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:21 November 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Franz J. Giessibl
Projekte:GRK 1570, Elektronische Eigenschaften von Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4766185DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Mai 2016 05:47
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:40
Dokumenten-ID:33806
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