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The effect of sample resistivity on Kelvin probe force microscopy

Weymouth, Alfred Jay und Giessibl, Franz J. (2012) The effect of sample resistivity on Kelvin probe force microscopy. Applied Physics Letters 101, S. 213105-1.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 27 Mai 2016 05:47

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Zusammenfassung

Kelvin probe force microscopy (KPFM) is a powerful technique to probe the local electronic structure of materials with atomic force microscopy. One assumption often made is that the applied bias drops fully in the tip-sample junction. We have recently identified an effect, the Phantom force, which can be explained by an ohmic voltage drop near the tip-sample junction causing a reduction of the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:21 November 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Franz J. Giessibl
Projekte:GRK 1570, Elektronische Eigenschaften von Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4766185DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Dokumenten-ID:33806
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