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Giessibl, Franz J.

Atomic Resolution of the Silicon (111 )-(7x 7) Surface by Atomic Force Microscopy

Giessibl, Franz J. (1995) Atomic Resolution of the Silicon (111 )-(7x 7) Surface by Atomic Force Microscopy. Science 267 (5194), S. 68-71.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 31 Mai 2016 08:20
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.33828


Zusammenfassung

Achieving high resolution under ultrahigh-vacuum conditions with the force microscope can be difficult for reactive surfaces, where the interaction forces between the tip and the samples can be relatively large. A force detection scheme that makes use of a modified cantilever beam and senses the force gradient through frequency modulation is described. The reconstructed silicon (111)-(7x7) ...

Achieving high resolution under ultrahigh-vacuum conditions with the force microscope can be difficult for reactive surfaces, where the interaction forces between the tip and the samples can be relatively large. A force detection scheme that makes use of a modified cantilever beam and senses the force gradient through frequency modulation is described. The reconstructed silicon (111)-(7x7) surface was imaged in a noncontact mode by force microscopy with atomic resolution (6 angstroms lateral, 0.1 angstrom vertical).



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftScience
Verlag:AAAS
Band:267
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:5194
Seitenbereich:S. 68-71
Datum6 Januar 1995
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Franz J. Giessibl
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1126/science.267.5194.68DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-338281
Dokumenten-ID33828

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