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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-400702
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.40070
Zusammenfassung (Deutsch)
Diese Arbeit behandelt elektronischen Transport in Graphen unter Einfluss eines eindimensionalen, periodischen Potentials. Das Übergitter wird dem Graphen über ein strukturiertes Top- bzw. Bottomgate aufgeprägt, wobei sich plasmageätztes Mehrlagengraphen als optimale Gateelektrode für das in hexagonales Bornitrid eingekapselte, hochbewegliche Graphen herausgestellt hat. Aufgrund der Ambipolarität ...
Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)
This work treats electronic transport in graphene under the influence of a one-dimensional, periodic potential. The superlattice in graphene is generated via patterned top- or bottom gates. Here, plasma-etched few-layer graphene emerges as an ideal gate electrode material for modulating the graphene, encapsulated in hexagonal boron nitride graphene, preserving its high mobility. Due to the ...