| PDF - Entwurfsversion arXiv PDF (05.12.2019) (2MB) |
- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-411233
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.41123
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Zusammenfassung
BiSbTeSe2 is a 3D topological insulator with Dirac type surface states and low bulk carrier density, as donors and acceptors compensate each other. Dominating low temperature surface transport in this material is heralded by Shubnikov-de Haas oscillations and the quantum Hall effect. Here, we experimentally probe the electronic density of states (DOS) in thin layers of BiSbTeSe2 by capacitance ...
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